【六级能效 小体积5V2A充电器方案】

本期为大家介绍芯朋微热门方案 PN8370M+PN8305L 5V2A六级能效充电方案。

该方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点，备受工程师青睐！

1.封装及脚位配置图

PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13 mohm 55V Trench MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

2.PCB及DEMO实物图

PCBA尺寸：42.0mm*31.6mm*13mm（板上高度）

3.方案典型应用图

4.方案特性

• PCBA尺寸：42.0mm*31.6mm*13mm板上高度(小体积)

• 输入电压：90~265Vac全电压
• 输出功率：10W
• 平均效率：＞78.7％，满足六级能效要求(高效率)
• 待机功耗：＜50mW，Vin=264Vac(低待机)
• PN8305L双供电全工作状态无直通风险(高可靠性)
• 拥有输出短路保护，输出过流保护，输出欠压保护(PCB端3.1V以下)，VDD过压保护，FB分压电阻开路短路保护，以及电流检测电阻Rcs开短路保护，过温保护(保护功能齐全)

5.测试数据

（温度数据：CH1环境；CH2 PN8305L；CH3 PN8370M；CH4 ABS10；CH5 变压器线；CH6 变压器铁芯）

6.EMC测试

• EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB
• ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求
• EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求
• Surge满足IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求
• 交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求

7.应用要点

PN8370M工作在DCM模式，忽略传输瞬态Tr和Tf，导通时间、去磁时间和振荡时间分别为：

PN8370M在T2时间内间接采样输出电压信号，为减小漏感振荡对采样的影响，最小T2时间应足够长：

备注：电源在小负载工况下，PN8370M的Vcs=0.17V以避免音频噪音。

PN8305L须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断，其最小导通时间由RT电阻设定：

因此RT电阻中心值建议为:

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