用数字万用表的二极管档及电阻档通过测量MOS场效应管各极间的电阻即可快速测量出管子的好坏。这里以N沟道MOS场效应管5N60C为例，来详细介绍一下具体的测量方法。

1、N沟道MOS场效应管简介

▲ TO-220F封装的N沟道MOS场效应管5N60C。

5N60C是常用的N沟道MOS场效应管，其ID＝5A，耐压值为600V。该管的电路符号如下图所示。从图中可见，其D-S两极之间并联有一个二极管，这个二极管为寄生二极管，是制作场效应管时生成的。
▲ N沟道MOS场效应管的符号。

2、N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

▲ 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。

▲ 用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。

然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。

▲ 用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。

在测量完5N60C的D-S两极，并且确实是好的之后，然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电。由于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ），数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8～3V，故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后，可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小，故用这个方法可以测量场效应管G-S两极之间是否损坏。

▲ 5N60C的G-S两极间的电容充电后，用电阻档实测D-S两极之间的正向电阻为155.4Ω。

▲ 用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。

上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样，只是万用表表笔需要调换一下极性。

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