存储密度一年之内翻5倍是什么概念？去年你还用着16G的乞丐版结结巴巴过日子，突然之间换成64GB马上翻身不用愁。闪存发展即将迎来近几年最具革命性的突破，2T ROM的手机、8T容量的固态硬盘，马上就要成真！

这一切希望都来源于东芝BiCS4——96层堆叠QLC闪存，单芯片最小容量1.33T比特，折算为字节大约是166GB，相比现在的64层3D TLC闪存存储密度暴增520%！通过叠die封装，一颗下图中这样的闪存颗粒存储容量将有望达到2.66TB。

在用iPhone 7的小伙伴，你们可能在用它的前辈——东芝BiCS2 3D TLC闪存。

在用iPhone X的小伙伴，你们享受的是64层堆叠技术的东芝BiCS3 3D TLC闪存，存储密度比iPhone 7当中的BiCS2（48层堆叠）提升了40%。

BiCS3同时也被应用在包括TR200（SATA接口）、RC100（M.2 NVMe接口）的东芝原厂固态硬盘当中，提供更高的容量和更快的读写性能。

即将到来的下一代东芝BiCS4的容量大涨除了从64层堆叠升级至96层堆叠带来的提升之外，还得益于3D QLC全新架构，每个存储单元包含多达16种状态，表达4比特信息。

每个单元存储数据位的增加会带来不稳定性，不过作为闪存世界缔造者，东芝显然有底气解决复杂的技术难题。BiCS(Bit Cost Scalable)使用的Charge Trap结构相比平面闪存时代的Floating Gate结构更为耐用。

根据东芝提供的数据，3D QLC类型的BiCS4闪存依然会拥有1.5倍于传统2D MLC、3倍于2D TLC的耐久度优势：

BiCS4 3D QLC单晶粒存储容量166GB，如果采用16die封装，单颗闪存颗粒的存储容量就将达到2.5TB以上。最近它的工程样品就将开始提供给东芝合作伙伴及固态硬盘主控开发商进行适配，最早今年年底就会有固态硬盘产品问世。

明年的旗舰手机最大ROM容量突破2TB已经稳了。而东芝使用MCP多芯片封装的迷你M.2 NVMe固态硬盘的最大容量也有望再度提升。未来笔记本电脑的M.2插槽有望从M.2 2280缩小到M.2 2242甚至是M.2 2230的规格，从而带来更小、更轻、更薄、更快的笔记本电脑新体验。

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